| 보유기술정보 | |
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| 출원번호 / 일자 | 1020230185002 (2023-12-18) |
| 등록번호 / 일자 | 1028432260000 (2025-08-01) |
| 발명자 | 중앙대학교 산학협력단 |
| 기술명 | 고감도 광반응 검출 센서 및 이의 제조방법 |
| 요약 | 본 발명의 일 실시예는 투명 전극층; 상기 투명 전극층 상에 적층된 정공 수송층(HTL); 상기 정공 수송층(HTL) 상에 적층된 3D 벌크 페로브스카이트 광 감응층; 상기 광 감응층 상에 적층된 실란 리간드 기반의 페로브스카이트 코어-쉘 양자점 층; 상기 코어-쉘 양자점 층 상에 적층된 전자 수송층(ETL); 및 상기 전자 수송층(ETL) 상에 위치하는 음극;을 포함하는 구성이고, 상기 실란 리간드는 3-aminopropyl(diethoxy)methylsilane(APDEMS)인 것을 특징으로 하는 고감도 광반응 검출 센서를 제공한다. |
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