대학보유기술

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보유기술정보
출원번호 / 일자	1020230181035 (2023-12-13)
등록번호 / 일자	1027500560000 (2024-12-30)
발명자	중앙대학교 산학협력단
기술명	RTA 광학 어닐링을 이용한 BETA상 Ga2O3 박막의 제조 방법 및 이에 의해 제조된 차량용 반도체

요약

본 발명은 RTA 광학 어닐링 효과를 적용한 고효율 EV 차량 반도체용 β-Ga 2 O 3 박막 제조 공정으로 기존의 박막 열처리 공정인 전기로(Electric furnace)를 RTA로 대체하여 짧은 시간에 상온에서 열처리가 가능한 β-Ga 2 O 3 박막 공정 방법이다. 보다 상세하게는 기존에 박막 공정에 주로 사용되는 전기로를 활용한 열 어닐링 방법을 대체하여 RTA 공정을 도입함으로써 광학 에너지를 박막 표면에 조사하여 짧은 시간에 고온 분위기 형성 후 β-Ga 2 O 3 결정성장을 통한 박막 제조가 가능한 급속 박막 공정이다. 기존 공정과 비교하였을 때 80 % 이상의 공정시간을 줄일 수 있으며 XRD, FE-SEM 분석을 통해서도 기존 공정과 비교하였을 때 우수한 결정성을 가지는 것을 확인할 수 있다. 또한 박막 제조를 위해 소모되는 열 에너지, 장비에 가동되는 전기에너지를 줄여줌으로써 탄소 중립 (Net-Zero)에 도움이 될 수 있는 친환경 기술이다.

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