보유기술정보 | |
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출원번호 / 일자 | 1020220145062 (2022-11-03) |
등록번호 / 일자 | 1027892900000 (2025-03-26) |
발명자 | 중앙대학교 산학협력단,성균관대학교산학협력단 |
기술명 | 비납계 포토디텍터 및 이의 제조 방법 |
요약 | 비납계 포토디텍터 및 이의 제조 방법이 개시된다. 상기 비납계 포토디텍터는 광측 전극; 상기 광측 전극 상에 형성된 광측 전도층; 상기 광측 전도층 상에 형성된 페로브스카이트층; 상기 페로브스카이트층 상에 형성된 후측 전도층; 및 상기 후측 전도층 상에 형성된 후측 전극;을 포함할 수 있다. |
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