대학보유기술

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보유기술정보
출원번호 / 일자	1020220097845 (2022-08-05)
등록번호 / 일자	1028290230000 (2025-06-30)
발명자	중앙대학교 산학협력단,성균관대학교산학협력단
기술명	박막 트랜지스터 및 이의 제조방법

요약

본 발명은 박막 트랜지스터 및 이의 제조방법을 개시한다. 본 발명의 박막 트랜지스터는 상기 게이트 절연막 상에 형성된 금속층, 상기 금속층 상에 형성되고, 상기 금속층의 표면을 모두 덮도록 형성된 금속 산화물층, 상기 금속 산화물층의 표면을 모두 덮도록 형성된 금속 산화물 반도체층 및 상기 금속 산화물 반도체층 상에 형성된 소스/드레인 전극을 포함하고, 상기 금속 산화물층과 인접한 상기 금속 산화물 반도체층의 내부에 산소 결핍층을 더 포함하며, 상기 금속 산화물 반도체층은 비정질 금속 산화물 반도체층이 열처리에 의해 결정화된 것을 특징으로 한다.

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