대학보유기술

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보유기술정보
출원번호 / 일자	1020220045621 (2022-04-13)
등록번호 / 일자	1027116690000 (2024-09-25)
발명자	중앙대학교 산학협력단
기술명	동일 평면 상의 대칭형 이온 게이트 트랜지스터, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 이온 센서

요약	본 발명은 동일 평면 상의 대칭형 이온 게이트 트랜지스터, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 이온 센서를 개시한다. 본 발명은 트랜지스터의 게이트, 소스 및 드레인 전극들을 동일 평면에 코르비노(Corbino) 구조로 형성하여 게이트 전극과 채널층 그리고 소스 및 드레인 전극 간의 거리를 동일하게 형성함으로써, 전위 상실에 의한 전자 축적 정도를 종래 기술보다 균일하게 제공한다. 본 발명의 트랜지스터는 뛰어난 전기적 특성을 통해 이온의 농도를 센싱하는 이온 센서로 이용 시 높은 응답성을 제공할 수 있다.

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