대학보유기술

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보유기술정보
출원번호 / 일자	1020210167862 (2021-11-30)
등록번호 / 일자	1026552160000 (2024-04-02)
발명자	중앙대학교 산학협력단
기술명	다층 박막 구조를 포함하는 전자 소자 및 다층 박막 구조를 갖는 트랜지스터

요약	양이온성 고분자 및 음이온성 고분자가 교대로 각각 한 번 이상 적층된 다층 박막 구조의 버퍼층을 갖는 전자 소자 및 트랜지스터가 개시된다. 상기 트랜지스터는, 기판; 채널층; 유전체층; 상기 채널층과 유전체층이 맞닿는 전체 면 상에 위치한 버퍼층; 게이트 전극층; 소스 및 드레인 전극;을 포함한다. 상기 트랜지스터는, 바텀 게이트 구조, 탑 게이트 구조, 사이드 인 플레인 게이트 구조, 및 버티컬형 게이트 구조일 수 있다.

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