보유기술정보 | |
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출원번호 / 일자 | 1020210167862 (2021-11-30) |
등록번호 / 일자 | 1026552160000 (2024-04-02) |
발명자 | 중앙대학교 산학협력단 |
기술명 | 다층 박막 구조를 포함하는 전자 소자 및 다층 박막 구조를 갖는 트랜지스터 |
요약 | 양이온성 고분자 및 음이온성 고분자가 교대로 각각 한 번 이상 적층된 다층 박막 구조의 버퍼층을 갖는 전자 소자 및 트랜지스터가 개시된다. 상기 트랜지스터는, 기판; 채널층; 유전체층; 상기 채널층과 유전체층이 맞닿는 전체 면 상에 위치한 버퍼층; 게이트 전극층; 소스 및 드레인 전극;을 포함한다. 상기 트랜지스터는, 바텀 게이트 구조, 탑 게이트 구조, 사이드 인 플레인 게이트 구조, 및 버티컬형 게이트 구조일 수 있다. |
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다빈치캠퍼스 : 17546 경기도 안성시 대덕면 서동대로 4726