대학보유기술

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보유기술정보
출원번호 / 일자	1020210088857 (2021-07-07)
등록번호 / 일자	1026256750000 (2024-01-11)
발명자	중앙대학교 산학협력단
기술명	광트랜지스터 소자, 광 센싱 소자 및 그 제조 방법

요약	양자점을 광활성층으로 이용한 광트랜지스터 소자에 있어서, 채널층으로 금속 산화물 반도체층을 이용하고 상기 광활성층은 적층된 세층의 양자점층으로 이루어지며 상기 양자점층과 상기 금속 산화물 반도체로 이루어진 채널층은 이종 헤테로 적층 구조를 이룰 수 있다.

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