보유기술정보 | |
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출원번호 / 일자 | 1020200047188 (2020-04-20) |
등록번호 / 일자 | 1024357350000 (2022-08-19) |
발명자 | 현대비씨엔지니어링(주),중앙대학교 산학협력단 |
기술명 | 질화막에 대한 선택성이 우수한 식각액 조성물 |
요약 | 본 발명은 질화막에 대한 선택성이 우수한 식각액 조성물에 관한 것으로, 좀더 상세하게 설명하자면, 무기산 용매와, 실란무기산염, 그리고 첨가제를 포함하되, 상기 실란무기산염으로 신규한 화합물을 사용함으로써, 질화막에 대한 식각 선택성이 우수하고, 나아가 친환경적이면서 경제적으로 반도체 소자를 제조할 수 있는 식각액 조성물에 관한 것이다. |
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