보유기술정보 | |
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출원번호 / 일자 | 1020200039846 (2020-04-01) |
등록번호 / 일자 | 1023259180000 (2021-11-08) |
발명자 | 중앙대학교 산학협력단 |
기술명 | 유연성과 높은 축전용량을 갖는 고종횡비 슈퍼커패시터 전극 및 그 제조방법 |
요약 | 본 발명은 유연성과 높은 축전용량을 갖는 고종횡비 슈퍼커패시터 전극 및 그 슈퍼커패시터 전극의 제작을 위한 마이크로 금속 그리드 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 유연 폴리머 기판에 금속나노입자를 코팅하는 단계; 상기 금속나노입자 코팅층에 레이저로 선택적으로 소결시켜 그리드 패턴을 갖는 금속그리드를 형성하는 단계; 금속그리드에 비활성금속을 전착하여 보호층을 형성하는 단계; 금속 그리드 상에 그래핀 또는 그래핀 복합체를 코팅하여 그래핀층을 형성하는 단계; 레이저 투과 용접을 통해 상기 그래핀층과 유연 폴리머 기판을 부착시키는 단계; 및 산화금속활물질을 상기 그래핀층 상에 전착코팅하여 산화금속층을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 유연성과 높은 축전용량을 갖는 고종횡비 슈퍼커패시터 전극의 제조방법에 관한 것이다. |
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