보유기술정보 | |
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출원번호 / 일자 | 1020190104148 (2019-08-26) |
등록번호 / 일자 | 1023389580000 (2021-12-09) |
발명자 | 중앙대학교 산학협력단 |
기술명 | 양자점이 도핑된 산화텅스텐 및 이의 제조방법 |
요약 | 본 발명은 양자점이 도핑된 산화텅스텐 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 상기 양자점이 도핑된 산화텅스텐은 양자점과 산화텅스텐 전구체의 혼합물을 열처리하는 간단한 공정으로 제조되므로 생산성이 우수하고, 산화텅스텐에 양자점이 균일하게 도핑되어 전기 변색 효율이 뛰어나므로, 스마트 윈도우, 디스플레이 등의 전기・전자 분야에서 전기 변색 소재로 유용하게 사용될 수 있다. |
서울캠퍼스 : 06974 서울특별시 동작구 흑석로 84
다빈치캠퍼스 : 17546 경기도 안성시 대덕면 서동대로 4726