보유기술정보 | |
---|---|
출원번호 / 일자 | 1020180107883 (2018-09-10) |
등록번호 / 일자 | 1021059290000 (2020-04-23) |
발명자 | 중앙대학교 산학협력단 |
기술명 | 나노갭을 패터닝하여 형성하는 방법 및 패턴화된 나노갭 |
요약 | 본 발명은 나노갭을 패터닝하여 형성하는 방법 및 이를 이용하여 형성된 패턴화된 나노갭에 관한 것이다. 구체적으로 본 발명은 나노 크기의 갭을 패터닝하는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따르면 패턴화된 마스크 및 자외선 조사라는 간단한 방법으로 원하는 곳에만 금속 입자를 흡착시킴으로써 기판과 금속 입자 사이에 나노갭을 형성함에 있어 공간적인 제어가 가능하다. 또한, 포토리소그래피 공정을 이용하여 나노미터 스케일 크기의 매우 작은 사이즈의 패턴화도 가능하다. 이러한 나노갭의 패턴화를 조절하여 궁극적으로 나노갭의 공간적 분포를 제어할 수 있고, 이에 의해 여러가지 광학적 특성 또는 현상을 제어할 수 있다. |
서울캠퍼스 : 06974 서울특별시 동작구 흑석로 84
다빈치캠퍼스 : 17546 경기도 안성시 대덕면 서동대로 4726