대학보유기술

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보유기술정보
출원번호 / 일자	1020180107657 (2018-09-10)
등록번호 / 일자	1020984920000 (2020-04-01)
발명자	동국대학교 산학협력단,중앙대학교 산학협력단
기술명	박막 트랜지스터, 박막 트랜지스터의 제조 방법 및 박막 트랜지스터를 포함하는 다이오드

요약

본 발명은 박막 트랜지스터, 박막 트랜지스터의 제조 방법 및 박막 트랜지스터를 포함하는 다이오드에 관한 것으로 보다 상세하게는 기판; 상기 기판 상에 위치한 게이트 전극; 상기 게이트 전극을 포함하는 상기 기판 전면에 걸쳐 위치한 게이트 절연막; 상기 게이트 절연막 상의 전면에 위치하는 반도체층; 및 상기 반도체층 상에 서로 이격되어 위치하는 소스/드레인 전극을 포함하고, 상기 반도체층은 금속 원소 및 할로겐 원소를 포함하고, 불순물이 도핑된 3성분계 이상의 다성분계 할라이드를 포함하는 박막 트랜지스터, 박막 트랜지스터의 제조 방법 및 박막 트랜지스터를 포함하는 다이오드를 제공한다.

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