대학보유기술

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보유기술정보
출원번호 / 일자	1020170095559 (2017-07-27)
등록번호 / 일자	1019828280000 (2019-05-21)
발명자	중앙대학교 산학협력단
기술명	아르곤 플라즈마 처리를 이용한 p형 산화물 박막 트랜지스터 제조 방법

요약	산화물 박막 트랜지스터의 제조 방법이 개시된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 산화물 박막 TFT의 제조 방법은 기판에 산화물을 포함하는 박막을 증착하는 단계; 및 상기 산화물 박막에 아르곤 플라즈마 처리를 수행하는 단계를 포함하되, 상기 산화물 박막은 p형 산화물 박막이고, 상기 아르곤 플라즈마 처리를 수행하는 단계를 통해, 상기 p형 산화물 박막 내의 홀 농도를 감소시킴으로써, 상기 p형 산화물 박막의 저항을 증가시키는 것을 특징으로 한다.

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