대학보유기술

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보유기술정보
출원번호 / 일자	1020170079330 (2017-06-22)
등록번호 / 일자	1019188510000 (2018-11-08)
발명자	중앙대학교 산학협력단
기술명	반도체 특성을 갖는 전도성 고분자 박막의 제조방법 및 반도체 특성을 갖는 전도성 고분자 박막을 포함하는 박막 트랜지스터

요약	본 발명의 반도체 특성을 갖는 전도성 고분자 박막의 제조방법 및 반도체 특성을 갖는 전도성 고분자 박막을 박막 트랜지스터에서, 본 발명의 반도체 특성을 갖는 전도성 고분자 박막의 제조방법은 전도성 고분자 박막의 적어도 일부분을 표면처리제로 처리하여, 상기 표면처리제에 노출된 전도성 고분자 박막의 적어도 일부분의 전하 밀도를 감소시키는 단계를 포함한다.

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