보유기술정보 | |
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출원번호 / 일자 | 1020160172737 (2016-12-16) |
등록번호 / 일자 | 1019337710000 (2018-12-21) |
발명자 | 중앙대학교 산학협력단,서강대학교산학협력단 |
기술명 | 도핑된 유기물 박막을 포함한 트랜지스터 |
요약 | 본 발명의 일실시예는 기판; 상기 기판 상에 형성된 게이트 전극; 상기 게이트 전극을 덮도록 형성된 절연체층; 상기 절연체층 상에 형성된 반도체층; 상기 반도체층 상에 형성된 유기물층; 및 상기 유기물층 상에 형성되며, 서로 이격된 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 박막 트랜지스터이다. 다른 실시예는 상기 소스 전극과 반도체층 및 상기 드레인 전극과 반도체층 사이에 배치된 유기물층은 도핑된 유기물층이다. |
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