보유기술정보 | |
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출원번호 / 일자 | 1020140183261 (2014-12-18) |
등록번호 / 일자 | 1023340990000 (2021-11-29) |
발명자 | 중앙대학교 산학협력단 |
기술명 | 표면에 기공이 형성된 고분자 기재 및 이를 위한 고분자 기재의 표면처리 방법 |
요약 | 본 발명은 표면에 다결정형 기공이 형성된 고분자 기재 및 이를 위한 고분자 기재의 표면처리 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 고분자 기재는 표면에 다결정형 구조의 기공을 포함하여 소수성을 가지므로 내오염성이 뛰어날 뿐만 아니라, 접착 계면 형성 시 물리적 접착이 가능하므로 접착력이 우수하다. 또한, 상기 기재를 위한 표면처리 방법은 인체 및 환경에 유해한 물질을 사용하지 않으면서 경제적으로 대면적의 표면처리가 가능하다는 이점이 있다. |
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