대학보유기술

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보유기술정보
출원번호 / 일자	1020130159437 (2013-12-19)
등록번호 / 일자	1014684910000 (2014-11-27)
발명자	중앙대학교 산학협력단
기술명	나노와이어 그리드 구조 및 이의 형성방법

요약

본 발명은 나노와이어 그리드 구조 및 이의 형성방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 나노와이어 그리드 구조는 MDD(Meniscus Dragging Deposition) 코팅기법을 이용하여 나노와이어를 기판에 코팅시킴으로써 나노와이어의 정렬도가 우수하다는 특징이 있다. 또한, 나노와이어를 교차 코팅하여 제조되는 나노와이어 그리드 구조는 뛰어난 유연성 및 신축성을 가지며, 550 nm 파장에서 약 90% 이상의 높은 투과율을 갖는다. 나아가, 나노와이어 그리드 구조는 22 Ω/□의 낮은 면저항을 가지므로, 전자 소자에 사용되는 투명 전극으로 용이하게 사용될 수 있다.

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