대학보유기술

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보유기술정보
출원번호 / 일자	1020120153257 (2012-12-26)
등록번호 / 일자	1013959060000 (2014-05-09)
발명자	한국전자기술연구원,중앙대학교 산학협력단
기술명	박막 트랜지스터 및 그 제조방법

요약	본 발명은 박막 트랜지스터 및 그 제조방법에 관한 것으로, 기판 상에 적어도 2개의 게이트 물질이 적층되어 형성되는 게이트 전극과, 게이트 전극의 상부에 형성되는 게이트 절연막과, 게이트 절연막의 상부에 형성되는 산화물 반도체층과, 산화물 반도체층의 적어도 일부와 각각 연결되는 소오스/드레인 전극이 포함되되, 게이트 전극의 상부에는 상기 게이트 전극의 물질 보다 자외선 반사율이 높은 반사구조물을 구비하는 박막 트랜지스터를 제공한다.

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