보유기술정보 | |
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출원번호 / 일자 | 1020110104641 (2011-10-13) |
등록번호 / 일자 | 1012908960000 (2013-07-23) |
발명자 | 중앙대학교 산학협력단 |
기술명 | 산질화를 이용한 내식성 금속 및 내식성 향상을 위한 금속 표면 개질 방법 |
요약 | 본 발명은 산질화를 이용한 내식성 금속 및 내식성 향상을 위한 금속 표면 개질 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 질화 단계 중 또는 질화 단계 후 순차적으로 금속 표면을 황(S)이 포함된 수용액 증기에 노출 및 훈증하여 산화 처리하는 산화 단계를 포함하는 내식성 향상을 위한 금속 표면 개질 방법 및 내식성 금속에 관한 것이다. 특히, 본 발명에 따른 금속 표면 개질 방법은 질화 처리와 동시에 또는 질화 처리 후 산화 처리 시 황(S) 성분을 포함한 물질을 추가로 투입함으로써 질화층 또는 확산층 상에 생성되는 산화층 내부의 기공층이 매우 많아지며 황(S)이 산소(O 2 ), 철(Fe) 및 질소(N)의 결합력을 증가시켜 내식성이 증가되므로 습동성과 내마모성을 유지하면서 내식성까지 증가된 금속을 제공할 수 있다. |
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