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보유기술정보
출원번호 / 일자	1020110063873 (2011-06-29)
등록번호 / 일자	1012648260000 (2013-05-09)
발명자	중앙대학교 산학협력단
기술명	실리콘 비아를 갖는 기판 집적형 도파관 및 그 제조방법

요약

실리콘 비아를 갖는 기판 집적형 도파관 및 그 제조방법이 개시된다. 실리콘 트렌치는 실리콘 기판의 식각에 의해 형성되고, 복수의 실리콘 비아는 실리콘 기판의 식각에 의해 실리콘 트렌치 내부에 서로 이격되도록 형성되며, 상부 도체면은 실리콘 트렌치의 상부를 커버하며, 커플링 슬롯이 형성되어 있고, 유전체는 상부 도체면과 실리콘 트렌치 사이에서 복수의 실리콘 비아를 제외한 공간을 채운다. 본 발명에 따르면, 실리콘 공정과 완전히 호환되면서도 도파관의 우수한 RF 특성을 가지는 기판 집적형 도파관을 구현할 수 있다. 또한 공정 호환성에 의해 실리콘 회로 및 RF MEMS 등을 일괄 공정으로 집적시킬 수 있으므로 제조 단가가 낮아지며, 동작 주파수, 주파수 대역폭과 같은 RF 특성 변조가 가능한 가변형 기판 집적형 도파관을 구현할 수 있다.

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