대학보유기술

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보유기술정보
출원번호 / 일자	1020110034610 (2011-04-14)
등록번호 / 일자	1012120150000 (2012-12-07)
발명자	중앙대학교 산학협력단
기술명	다중기포 음파발광 조건에서 초음파 발광법을 이용하여 Ⅱ 내지 Ⅵ 족 반도체 양자점 또는 나노입자를 제조하는 방법 및 상기 양자점 또는 나노입자의 크기를 제어하는 방법

요약

본 발명은 다중기포 음파발광 조건에서 초음파 발광법을 이용하여 II 내지 VI 족 반도체 양자점 또는 나노입자를 제조하는 방법 및 상기 양자점 또는 나노입자의 크기를 제어하는 방법에 관한 것으로, 다중기포 음파발광 조건에서 초음파 발광법을 이용하여 어떠한 전처리 및/또는 고온 조건 없이 편리하고 간단한 원팟 반응을 통해 고 수율의 II 내지 VI 족 화합물의 양자점을 제조할 수 있다. 또한, 상기 양자점을 소성하여 나노입자로 전환시킬 수 있다. 아울러, 상기 초음파 처리 조건 또는 소성 조건을 제어하여 상기 양자점 또는 나노입자의 크기를 제어하는 효과가 있다.

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