보유기술정보 | |
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출원번호 / 일자 | 1020110002859 (2011-01-11) |
등록번호 / 일자 | 1011877490000 (2012-09-26) |
발명자 | 아이에스엠피 주식회사 |
기술명 | 태양전지의 전극 형성 방법 |
요약 | 본 발명은, 선택적 증착법을 이용한 태양전지 소자에서 금속전극배선을 형성하는 방법에 있어서, 층간 포스포러스 확산처리를 형성하는 단계와, 포스포러스 실리케이트 글라스층을 제거하는 단계와, 아아크레이어를 형성하는 단계와 전극형성을 위한 전극부위의 아아크레이어를 제거하는 단계와 어드헤젼 어쎄스(Adhesion Acess)처리, 선택적 니켈증착, 선택적 구리증착, 선택적 캡 증착 단계를 포함하는 선택적 증착공정을 적용하여 아아크레이어만 제거된부위에만 전극을 형성하는 단계와 이후 어닐링을 하는 단계와 이후 에지 아이솔레이션 공정을 처리하는 방법을 실시하는 선택적증착공정을 적요한 태양전지의 금속전극배선 형성하는 것이 가능하다. |
서울캠퍼스 : 06974 서울특별시 동작구 흑석로 84
다빈치캠퍼스 : 17546 경기도 안성시 대덕면 서동대로 4726