대학보유기술

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보유기술정보
출원번호 / 일자	1020100005943 (2010-01-22)
등록번호 / 일자	1011307230000 (2012-03-20)
발명자	중앙대학교 산학협력단
기술명	신규한 안티모니 카드뮴 옥시클로라이드 화합물 및 그 제조방법

요약

본 발명은 신규한 안티모니 카드뮴 옥시클로라이드 화합물 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 안티모니 산화물 및 카드뮴 클로라이드, 또는 안티모니 염화산화물 및 카드뮴 산화물을 출발물질로 하여 고체상 합성 반응을 통해 입체 활성적인 고립 전자쌍에 의한 비대칭 배위환경에 존재하는 Sb 3+ 양이온을 포함하되, Sb 3+ -Cd 2+ -옥사이드 로드, Cd 2+ -클로라이드 이중사슬, 및 고립된 Cl - 이온으로 구성된 1차원 구조를 갖는 신규한 안티모니 카드뮴 옥시클로라이드를 제공하며, 상기 화합물은 할로겐 친화성과 구리 친화성 모이에티가 완전히 분리되어 있는 것을 특징으로 한다.

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