대학보유기술

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보유기술정보
출원번호 / 일자	1020080096584 (2008-10-01)
등록번호 / 일자	1010623980000 (2011-08-30)
발명자	중앙대학교 산학협력단,서울대학교산학협력단
기술명	고순도 CuInSe2 박막의 제조방법 및 그로부터 제조된태양전지용 CuInSe2 박막

요약

본 발명은 비대칭 구조를 갖는 구리 전구체를 화학증기증착법으로 증착하여 기판 상에 구리 박막을 제조한 후, 상기 구리 박막이 형성된 기판에 인듐-셀레늄을 포함하는 비대칭 전구체를 온화한 온도 및 시간 조건 하에서 연속 증착하여, 구리: 인듐: 셀레늄의 비율이 1:1:2를 충족하는 단일상의 고순도 CuInSe 2 박막의 제조방법 및 그로부터 제조된 CuInSe 2 박막에 관한 것이다. 본 발명의 제조방법은 비대칭 전구체를 이용하고 화학증기증착법으로 증착함으로써, 종래보다 상대적으로 낮은 온도 및 단축된 시간 내에 조성의 변화 없이 일정하고, 불순물의 유입없이 고순도의 CuInSe 2 박막을 제조할 수 있으며, 제조된 고순도의 CuInSe 2 박막은 태양전지의 광흡수 박막층, 양자점 또는 LED 박막분야에 유용하게 적용될 수 있다. 나아가, 본 발명의 고순도의 CuInSe 2 박막은 초박막 광흡수층 태양전지(Extremely Thin Absorber layer Solar cells, ETA Solar Cells) 분야에 활용할 수 있다. 화학증기증착법, 비대칭 구리전구체, 인듐, 셀레늄, 태양전지소자

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