보유기술정보 | |
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출원번호 / 일자 | 1020080084961 (2008-08-29) |
등록번호 / 일자 | 1009879870000 (2010-10-08) |
발명자 | 중앙대학교 산학협력단 |
기술명 | 양극 산화 알루미늄을 이용한 초소수성 마이크로/나노 복합구조 표면 제작용 스탬프, 그 제조 방법, 및 이를 통해제작된 구조물 |
요약 | 본 발명은 간단한 공정으로 초소수성 마이크로/나노 복합구조 표면 제작이 가능한 스탬프 및 그 제조 방법에 관한 것이며, 나아가 상기 스탬프를 이용하여 제작한 복합 구조물에 관한 것이다. 본 발명의 일 양태에 따르면, 본 발명은 초소수성 마이크로/나노 복합구조 표면 제작용 스탬프의 제조 방법에 있어서, 다수의 나노 구멍들을 갖는 양극 산화 알루미늄 템플릿을 형성하는 단계; 상기 양극 산화 알루미늄 템플릿 위에 포토레지스트를 도포하는 단계; 및 상기 포토레지스트를 제거하여 상기 양극 산화 알루미늄 템플릿의 상부 표면이 노출되도록 다수의 포토레지스트 구멍을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 포토레지스트 구멍들은 이웃하는 구멍들의 간격 및 직경 중 적어도 어느 하나가 마이크로 크기가 되도록 형성되는 것을 특징으로 한다. 본 발명의 스탬프는 포토레지스트를 고형화하여 이용할 수 있기 때문에, 용도에 따라서는 저렴하게 제작이 가능하다. 공정의 관점에서, 별도의 얼라인먼트 등의 공정이 불필요하기 때문에 대량 복제시 공정이 용이할 뿐만 아니라, 성형품과 쉽게 분리될 수 있는 구조적 장점이 있다. 또한, 포토레지스트를 이용하여 스탬프의 마이크로 구조를 디자인하므로, 마이크로/나노 복합구조를 유지하면서도 패턴을 다양하게 형성할 수 있는 장점이 있다.더불어, 본 발명의 스탬프는 금속으로 제작이 가능하여 내구성이 우수...(이하생략) |
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다빈치캠퍼스 : 17546 경기도 안성시 대덕면 서동대로 4726