대학보유기술

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보유기술정보
출원번호 / 일자	1020070051344 (2007-05-28)
등록번호 / 일자	1008695440000 (2008-11-13)
발명자	중앙대학교 산학협력단
기술명	플라즈마 식각장치

요약

본 발명은, 플라즈마가 대면적에 대하여 균일한 밀도로 형성되고 플라즈마가 높은 밀도로 형성될 뿐만 아니라 전자가 저온으로 형성되어, 식각 속도가 우수하고 식각이 대면적에 대해 균일하게 이루어지는 등 웨이퍼에 대한 식각 특성이 우수해지도록 구조가 개선된 플라즈마 식각장치에 관한 것이다. 본 발명에 따른 플라즈마 식각장치는 식각 공정이 이루어지는 식각공간부가 내부에 형성된 챔버; 식각공간부에 배치되며, 웨이퍼가 안착되는 웨이퍼 안착부재; 및 챔버에 결합되며, 식각공간부에 공급되는 식각 가스가 플라즈마 상태로 유도되어 웨이퍼를 식각하도록 식각 가스를 플라즈마화시키는 플라즈마 형성유닛;을 구비하는 플라즈마 식각장치에 있어서, 플라즈마 형성유닛은, 고주파 전원이 인가되는 고주파 인가부와, 고주파 인가부로부터 일방향을 따라 일정 거리 이격되게 배치되며 래퍼런스 전압이 인가되는 래퍼런스 인가부와, 각각의 일측은 고주파 인가부와 접촉하여 전기적으로 연결되며 각각의 타측은 래퍼런스 인가부와 접촉하여 전기적으로 연결되며 일방향과 교차하는 방향을 따라 상호 이격되게 병렬적으로 배치되는 복수의 코일부를 가지며, 안착부재의 상측에 배치되는 코일부재;를 포함한다. 반도체, 플라즈마, 식각, 라디칼, 전자, 세라믹

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