보유기술정보 | |
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출원번호 / 일자 | 1020070017973 (2007-02-22) |
등록번호 / 일자 | 1009532000000 (2010-04-08) |
발명자 | 중앙대학교 산학협력단 |
기술명 | PST 이종층 박막들을 채택하는 유전체막, 그 제조 방법및 상기 유전체막을 포함하는 가변 커패시터 |
요약 | PST 이종층 박막들을 채택하는 유전체막, 그 제조 방법 및 상기 유전체막을 포함하는 가변 커패시터가 제공된다. 상기 유전체막은 입방정 구조를 갖는 (Pb x Sr 1 -x )TiO 3 (0003c#x003c#1)을 함유하는 제1 유전막을 구비한다. 상기 제1 유전막 상에 정방정 구조를 갖는 (Pb y Sr 1-y )TiO 3 (0003c#y003c#1)을 함유하는 제2 유전막이 제공된다. 상기 제1 및 제2 유전막들은 서로 번갈아가면서 반복적으로 적층된다. 상기 유전체막의 제조 방법 또한 제공된다. 아울러, 상기 유전체막을 포함하는 가변 커패시터가 제공된다. 강유전체막, 유전 손실, 전압 가변성 |
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