보유기술정보 | |
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출원번호 / 일자 | 1020060113762 (2006-11-17) |
등록번호 / 일자 | 1008399670000 (2008-06-13) |
발명자 | 중앙대학교 산학협력단 |
기술명 | 전반사미러의 표면 플라즈몬 공명을 이용한 마이크로공진기 센서 |
요약 | 전반사미러의 표면 플라즈몬 공명을 이용한 마이크로 공진기 센서가 개시된다. 입사도파로로는 검사광이 입사되고, 출사도파로로는 출사광이 출사된다. 출사도파로는 입사도파로와 일정한 각도를 가지도록 배치되고, 입사도파로와 출사도파로 사이에는 전반사미러가 배치된다. 전반사미러는 입사도파로를 통해 제1면으로 입사된 검사광을 출사도파로로 전반사시킨다. 금속박막은 전반사미러의 제2면에 위치하며, 전반사미러에 입사된 검사광에 의해 표면 플라즈마 파를 형성한다. 본 발명에 따르면, 광 도파로에 집적된 전반사미러의 계면에서 측정대상물질이 반응하여 발생하는 표면 플라즈몬 공명에 의한 공진조건의 변화를 기초로 전반사미러의 계면에서 반응하는 측정대상물질의 농도를 포함하는 특성을 소형의 온칩으로 구현된 센서에 의해 검출할 수 있다. 공진기, 센서, 광신호, 레이저 다이오드, 포토 다이오드 |
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