보유기술정보 | |
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출원번호 / 일자 | 1020060085586 (2006-09-06) |
등록번호 / 일자 | 1007759140000 (2007-11-06) |
발명자 | 중앙대학교 산학협력단 |
기술명 | 커패시터 및 그 제조방법 |
요약 | 본 발명의 커패시터는 도전재 및 활성탄를 포함하는 커패시터 전극에 4급 암모늄 토실레이트가 부가되어 이루어진다. 본 발명의 커패시터 제조방법에 의하면 특별한 기계설비 등의 필요 없이 정전용량이 증대된 커패시터 용 전극을 용이하게 제작할 수 있다. 이렇게 본 발명의 커패시터 제조 방법에 의해 제조된 커패시터는 높은 전기전도성, 및 높은 비표면적을 지닌다. 전기 이중 층 커패시터, EDLC, 활성탄, 정전용량, 4급 암모늄 토실레이트 |
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