대학보유기술

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보유기술정보
출원번호 / 일자	1020060066427 (2006-07-14)
등록번호 / 일자	1007890640000 (2007-12-18)
발명자	중앙대학교 산학협력단,삼성전자주식회사,재단법인서울대학교산학협력재단
기술명	금속유기물증착법에 의한 CuInS2 박막의 제조방법,그로 제조된 CuInS2 박막 및 그를 이용한 In2S3박막의 제조방법

요약

본 발명은 금속유기물증착법(MOCVD)에 의한 CuInS 2 박막의 제조방법, 그로 제조된 CuInS 2 박막 및 그를 이용한 In 2 S 3 박막의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 CuInS 2 박막의 제조방법은 공기와 열에 안정한 비대칭 구리 전구체를 금속유기물증착법으로 증착하여 구리 박막을 제조하고, 상기 구리 박막 상에 인듐-황을 포함하는 전구체를 연속증착하여, CuInS 2 박막을 제조하며, 증착공정 상에서 아르곤 상태뿐만 아니라, 진공상태에서 수행하여 조성비가 일정한 CuInS 2 의 박막을 제조할 수 있다. 나아가, 본 발명은 상기 CuInS 2 의 박막에 인듐-황을 포함하는 전구체를 추가 증착하여 In 2 S 3 박막을 제조하여, 종래의 태양전지의 윈도우로 사용되는 CdS를 대체사용할 수 있고, 태양전지 제조공정을 단순화시킬 수 있다. 태양전지, 금속유기물증착법, CIS 박막

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