대학보유기술

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보유기술정보
출원번호 / 일자	1020060047182 (2006-05-25)
등록번호 / 일자	1006926040000 (2007-03-02)
발명자	중앙대학교 산학협력단
기술명	CuAu상 ⅠⅢⅥ₂단결정 박막의 형성방법

요약

본 발명은 상온 대기압 하에서 성장되는 ⅠⅢⅥ 2 결정의 일반적인 구조인 찰코파이라이트(chalcopyrite)상과는 달리 100% 스핀 분극된 전자원(spin-polarized electron source)으로 유용하게 활용될 수 있는 CuAu상 ⅠⅢⅥ 2 단결정 박막의 형성방법에 관한 것으로서, 본 발명에서는 I족 및 Ⅲ족 원소를 포함하는 화합물을 증발원으로 하여 공급하면서 별도로 Ⅵ족 원소를 과잉으로 공급하여 기판상에 CuAu상 ⅠⅢⅥ 2 화합물의 단결정을 성장시키는 것을 특징으로 하는 CuAu상 ⅠⅢⅥ 2 단결정 박막의 형성방법을 제공한다.

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