대학보유기술

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보유기술정보
출원번호 / 일자	1020040109411 (2004-12-21)
등록번호 / 일자	1006117300000 (2006-08-04)
발명자	중앙대학교 산학협력단
기술명	화학증기증착법에 의한 고순도 은 박막 제조를 위한전구체 및 이의 제조방법

요약

본 발명은 화학증기증착법으로 고 순도의 은(Ag) 박막을 제조함에 있어 유용하게 사용할 수 있는 은(Ag) 1가 전구체 및 이의 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 전구체는 하기 화학식 1로 표시되며, 베타디케톤류 또는 베타케토에스테르류 리간드를 도입하고, 중심 은(Ag) 1가에 비공유 전자쌍을 제공할 수 있는 중성 리간드로 포스파이트를 배위시킴으로써 휘발성 및 증착성이 월등히 향상된 액상의 유기 은(Ag) 1가 화합물이다. 이를 이용한 화학증기증착법을 통하여 고순도, 고품질의 은(Ag) 박막을 제조할 수 있다. [화학식 1] (상기 식에서, R은 수소, 알킬기, 벤질, 플로로화 메틸, 플로로화 에틸, 플로로화 노말 프로필, 플로로화 이소프로필, 플로로화부틸 및 플로로화 벤질로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나, R1은 알킬기, 벤질, 플로로화 메틸, 플로로화 에틸, 플로로화 노말 프로필, 플로로화 이소프로필, 플로로화부틸 및 플로로화 벤질로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나, A는 알킬기, 알콕시기, 벤질, 플로로화 메틸, 플로로화 에틸, 플로로화 노말 프로필, 플로로화 이소프로필, 플로로화부틸 및 플로로화 벤질로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나, L은 포스파이트기[P(OR2)3, R2은 알킬기, 벤질, 플로로화 메틸, 플로로화 에틸, 플로로화 노말 프로필, 플로로화 이소프로필,...(이하생략)

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