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보유기술정보
출원번호 / 일자	1020040003559 (2004-01-17)
등록번호 / 일자	1005772870000 (2006-04-28)
발명자	중앙대학교 산학협력단
기술명	비파괴 방식의 도핑 프로파일 측정장치 및 그에 적용되는주파수 변조 방식의 알에프 커패시턴스 센서

요약

본 발명은 정전용량 감지방식으로서 주파수 변조(frequency modulation) 방식의 알에프(RF) 커패시턴스 센서를 사용하여 측정샘플을 자르지 않고 비파괴로 측정 샘플 내의 정전용량 변화량(dC/dV)을 직접 측정하고, 이 값을 정확한 물리적인 모델링을 통해 계산된 정전용량 변화량(dC/dV)과 비교하여 1차원뿐만 아니라 2차원 및 3차원 도핑 프로파일을 정량적으로 추출할 수 있는 비파괴 방식의 도핑 프로파일 측정장치(nano-C-V) 및 그에 적용되는 주파수 변조 방식의 알에프 커패시턴스 센서에 관한 것으로서, 상기 측정 장치는, 측정하고자 하는 웨이퍼의 표면에 위치되는 나노 탐침과, 상기 탐침과 웨이퍼 사이에 인가된 바이어스 전압에 따라 달라지는 정전용량을 측정하는 알에프 커패시턴스 센서와, 상기 알에프 커패시턴스 센서에서 출력되는 미세한 전압신호를 측정하는 LIA와, 상기 LIA에서 출력되는 신호와 nano-C-V 모델링을 통해 계산된 값과 비교하여 도핑 프로파일을 정량적으로 추출하는 컴퓨터 콘솔로 이루어진다. 이때, 상기 알에프 커패시턴스 센서는 1.7GHz 대역의 발진 주파수를 공급하기 위한 VCO 공급 선로, 마이크로 스트립 공진기, 정전용량 변화를 검출하기 위한 선로로 구성되며, 이들 선로에서의 정전용량 변화를 주파수로 바꾸고 다시 이를 전압으로 검출하기 위해 Rf 믹서와 주...(이하생략)

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