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보유기술정보
출원번호 / 일자	1020010057518 (2001-09-18)
등록번호 / 일자	1004005360000 (2003-09-23)
발명자	최인환
기술명	단결정 성장된 Ⅱ-Ⅳ-Ⅴ2 계열 희박 자기 반도체

요약

본 발명은 상온 레벨에서 반도체 특성과 강자성체 특성을 모두 가지는 Ⅱ-Ⅳ-Ⅴ 2 계열 희박 자기 반도체에 대한 것이다. 본 발명에 따른 Ⅱ-Ⅳ-Ⅴ 2 계열 희박 자기 반도체는 자기원소가 Ⅱ족 자리 및 Ⅳ족 자리에 대치하여 들어감으로써, 반도체 특성과 강자성체 특성을 상온 레벨에서 동시에 가지는 것을 특징으로 한다. 이러한 본 발명에 따른 희박 자기 반도체는 전자의 스핀을 이용한 스핀토닉 회로(spintonic circuit), 특히 양자 컴퓨터 및 메모리 소자; 자기-저항(magneto-resistance), 자기-광학(magneto-optics) 등을 이용한 각종 전자 광학 소자; 운반자-유도 자성체(Carrier-induced magnetism (CIM)); 패러데이 회전(Faraday rotation), 자기복굴절(Magneto-birefringence) 효과, 자기 커(Magneto-Kerr) 효과를 이용한 각종 광소자 등에 활용이 가능하다. 또한, 본 발명에 따른 희박 자기 반도체를 이용하게 될 경우, 자기 물질에 대한 자기장 유도형 금속절연체 천이(magnetic-field-induced metal-insulator transition)와 속박된 자기 폴라론-BMP 등과 같은 자기, 광학, 전도특성을 이용할 수 있게 된다.

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