대학보유기술

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보유기술정보
출원번호 / 일자	1019980063292 (1998-12-31)
등록번호 / 일자	1002946260000 (2001-04-18)
발명자	최영완
기술명	N(-)-I-N(+)구조의 전계흡수 광변조기

요약

고효율의 공핍상태(depletion)를 이루는 N - 층을 포함하므로써 RF신호를 효과적으로 광(光)변조하는 N - -i-N + 구조의 전계흡수 광변조기는, 반절연성 기판상에 저농도도핑된 N - 층, 진성(intrinsic)상태의 i층 및, 고농도도핑된 N + 층을 포함하는 구조로 형성되며, 중앙의 i(진성)층은 단일물질(bulk) 또는 다중양자우물(Multiple Quantum Wells)로 형성된다. 따라서, 본 발명은 수 볼트대의 낮은 전압하에서도 높은 광변조효율을 유지하고 광변조기의 변조대역폭을 증가시키므로써, 광통신 관련분야에서 다양하게 응용되는 효과가 있다.

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