대학보유기술

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보유기술정보
출원번호 / 일자	1019970082263 (1997-12-31)
등록번호 / 일자	1002992940000 (2001-06-07)
발명자	최영완
기술명	이종접합광싸이리스터(HOT)및작동방법

요약

개시된 내용은 사분파 하부반사층(Quarter Wavelength Reflector Stack, QWRS) 및 다중양자우물(Multiple Quantum Well, MQW)이 포함된 4층구조의 PnpN(또는 NpnP) 반도체소자로서, 빛(光)에 의해 스위칭 및 논리기능을 수행하는 이종접합 광싸이리스터(Hetero-junction Optical Thyristor)에 관한 것이다. 일반적인 4층구조의 PnpN(또는 NpnP) 싸이리스터(thyristor)가 동일한 반도체층(P-type 또는 N-type)을 4개의 층으로 성장시킨 것과는 달리, 본 발명의 이종접합 광싸이리스터(Hetero-junction Optical Thyristor)는, 중앙 4층구조 하부에, 사분파 하부반사층(Quarter Wavelength Reflector Stack, QWRS)을 성장시키고, 동작의 핵심을 이루는 중앙의 pn층은 다중양자우물(Multiple Quantum Well, MQW)구조를 적용하였다. 따라서, 본 발명은 광반응성(optical sensitivity) 및 스위칭 속도를 향상시킴은 물론 연동 동작에도 적합한, 이종접합 광싸이리스터(Hetero-junction Optical Thyristor) 및, 차분구도에 의한 스위칭방법을 제공한다.

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